全球首个3nm芯片将量产，三星造？_4

大家好，今天我想和大家探讨一下关于全球首个3nm芯片将量产，三星造？的问题。在这个话题上，有很多不同的观点和看法，但我相信通过深入探讨，我们可以更好地理解它的本质。现在，我将我的理解进行了归纳整理，让我们一起来看看吧。

文章目录列表:

全球首个3nm芯片将量产，三星造？

2.三星Exynos1080好吗

三星周四表示，它有望在本季度（即未来几周内）使用其 3GAE （早期 3 纳米级栅极全能）制造工艺开始大批量生产。该公告不仅标志着业界首个3nm级制造技术，也是 个使用环栅场效应晶体管（GAAFET）的节点。

三星在财报说明中写道：“通过 上 大规模生产 GAA 3 纳米工艺来增强技术 地位 。”（Exceed market growth by sustaining leadership in GAA process technology,adopt pricing strategies to ensure future investments, and raise the yield and portion of our advanced processe）

三星代工的 3GAE 工艺技术 是该公司首个使用 GAA 晶体管的工艺，三星官方将其称为多桥沟道场效应晶体管 (MBCFET)。

三星大约在三年前正式推出了其 3GAE 和 3GAP 节点。三星表示，该工艺将实现 30% 的性能提升、50% 的功耗降低以及高达 80% 的晶体管密度（包括逻辑和 SRAM 晶体管的混合）。不过，三星的性能和功耗的实际组合将如何发挥作用还有待观察。

理论上，与目前使用的 FinFET 相比，GAAFET 具有许多优势。在 GAA 晶体管中，沟道是水平的并且被栅极包围。GAA 沟道是使用外延和选择性材料去除形成的，这允许设计人员通过调整晶体管通道的宽度来 调整它们。通过更宽的沟道获得高性能，通过更窄的沟道获得低功耗。这种精度大大降低了晶体管泄漏电流（即降低功耗）以及晶体管性能可变性（假设一切正常），这意味着更快的产品交付时间、上市时间和更高的产量。此外，根据应用材料公司最近的一份报告，GAAFET 有望将cell面积减少 20% 至 30% 。

说到应用，它最近推出的用于形成栅极氧化物叠层的高真空系统 IMS（集成材料解决方案）系统旨在解决 GAA 晶体管制造的主要挑战，即沟道之间的空间非常薄以及沉积多晶硅的必要性。在很短的时间内在沟道周围形成层栅氧化层和金属栅叠层。应用材料公司的新型 AMS 工具可以使用原子层沉积 (ALD)、热步骤和等离子体处理步骤沉积仅 1.5 埃厚的栅极氧化物。高度集成的机器还执行所有必要的计量步骤。

三星的 3GAE 是一种“早期”的 3nm 制造技术，3GAE 将主要由三星 LSI（三星的芯片开发部门）以及可能一两个 的其他 alpha 客户使用。请记住，三星的 LSI 和 的其他早期客户倾向于大批量制造芯片，预计 3GAE 技术将得到相当广泛的应用，前提是这些产品的产量和性能符合预期。

过渡到全新的晶体管结构通常是一种风险，因为它涉及全新的制造工艺以及全新的工具。其他挑战是所有新节点引入并由新的电子设计自动化 (EDA) 软件解决的新布局方法、布局规划规则和布线规则。最后，芯片设计人员需要开发全新的 IP，价格昂贵。

外媒：三星3nm良率 20%

据外媒Phonearena报道，三星代工厂是仅次于巨头台积电的全球第二大独立代工厂。换句话说，除了制造自己设计的 Exynos 芯片外，三星还根据高通等代工厂客户的第三方公司提交的设计来制造芯片。

Snapdragon 865 应用处理器 (AP) 由台积电使用其 7nm 工艺节点构建。到了5nm Snapdragon 888 芯片组，高通回到了三星，并继续依靠韩国代工厂生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1。这是目前为三星、小米、摩托罗拉制造的高端 Android 手机提供动力的 AP。

但在 2 月份，有报道称三星 Foundry 在其 4nm 工艺节点上的良率仅为 35%。这意味着只有 35% 的从晶圆上切割下来的芯片裸片可以通过质量控制。相比之下，台积电在生产 4nm Snapdragon 8 Gen 1 Plus 时实现了 70% 的良率。换句话说，在所有条件相同的情况下，台积电在同一时期制造的芯片数量是三星代工的两倍。

这就导致台积电最终收到高通的订单，以构建其剩余的 Snapdragon 8 Gen1 芯片组以及 Snapdragon 8 Gen 1 Plus SoC。我们还假设台积电将获得制造 3nm Snapdragon 8 Gen 2 的许可，即使高通需要向台积电支付溢价以让该芯片组的 制造商在短时间内制造足够的芯片。

尽管三星最近表示其产量一直在提高，但《商业邮报》的一份报告称，三星 3nm 工艺节点的产量仍远低于公司的目标。虽然三星代工厂的全环栅极 (GAA) 晶体管架构 推出其 3 纳米节点，使其在台积电（台积电将推出其 2 纳米节点的 GAA 架构）上处于 地位，但三星代工厂在其早期 3 纳米生产中的良率一直处于10% 至 20%的范围 。

这不仅是三星需要改进的极低良率，而且比 Sammy 在 4nm Snapdragon 8 Gen 1 中所经历的上述 35% 良率还要糟糕。

Wccftech 表示，据消息人士称，三星将从明年开始向客户发货的 3nm GAA 芯片组的 个“性能版本”实际上可能是新的内部 Exynos 芯片。据报道，三星一直在为其智能手机开发新的 Exynos 芯片系列，但现阶段尚不清楚它们是否会使用 3nm GAA 工艺节点制造。

台积电和三星很快就会有新的挑战者，因为英特尔曾表示，其目标是在 2024 年底之前接管行业的制程领导地位。它还率先获得了更先进的极紫外 (EUV) 光刻机。

第二代 EUV 机器被称为High NA 或高数值孔径。当前的 EUV 机器的 NA 为 0.33，但新机器的 NA 为 0.55。NA 越高，蚀刻在晶圆上的电路图案的分辨率就越高。这将帮助芯片设计人员和代工厂制造出新的芯片组，其中包含的晶体管数量甚至超过了当前集成电路上使用的数十亿个晶体管。

它还将阻止代工厂再次通过 EUV 机器运行晶圆以向芯片添加额外的功能。ASML 表示，第二代 EUV 机器产生的更高分辨率图案将提供更高的分辨率将使芯片特征小 1.7 倍，芯片密度增加 2.9 倍。

通过首先获得这台机器，英特尔将能够朝着从台积电和三星手中夺回制程领导地位的目标迈出一大步。

台积电3nm投产时间曝光

据台媒联合报报道，在晶圆代工三强争霸中，台积电和三星在3纳米争战，始终吸引全球半导体产业的目光。据调查，一度因开发时程延误，导致苹果新一代处理器今年仍采用5纳米加强版N4P的台积电3纳米，近期获得重大突破。台积电决定今年率先以第二版3纳米制程N3B，今年8月于今年南北两地，即新竹12厂研发中心第八期工厂及南科18厂P5厂同步投片，正式以鳍式场效电晶体（FinFET）架构，对决三星的环绕闸极（GAA）制程。

据台积电介绍，公司的3纳米（N3）制程技术将是5纳米（N5）制程技术之后的另一个全世代制程，在N3制程技术推出时将会是业界最先进的制程技术，具备最佳的PPA及电晶体技术。相较于N5制程技术，N3制程技术的逻辑密度将增加约70%，在相同功耗下速度提升10-15%，或者在相同速度下功耗降低25-30%。N3制程技术的开发进度符合预期且进展良好，未来将提供完整的 来支援行动通讯及 能运算应用，预期2021年将接获多个客户产品投片。此外，预计于2022下半年开始量产。

而如上所述，晶圆18厂将是台积电3nm的主要生产工厂。资料系那是，台积电南科的Fab 18是现下的扩产重心，旗下有P1 P4共4座5纳米及4奈厂，以及P5 P8共4座3纳米厂，而P1 P3的Fab 18A均处于量产状态，至于P4 P6的Fab 18B厂生产线则已建置完成，而Fab 18B厂，即3纳米制程产线，早在去年年年底就已开始进行测试芯片的下线投片。

在芯片设计企业还在为产能“明争暗斗”的时候，晶圆制造领域又是另外一番景象。对晶圆制造厂来说，眼下更重要的是3nm的突破。谁率先量产了3nm，谁就将占领未来晶圆制造产业的制高点，甚至还会影响AMD、英伟达等芯片巨头的产品路线图。

毫无疑问，在3nm这个节点，目前能一决雌雄的只有台积电和三星，但英特尔显然也在往先进制程方面发力。不过从近日的消息来看，台积电和三星两家企业在量产3nm这件事上进行的都颇为坎坷。Gartner 分析师 Samuel Wang表示，3nm 的斜坡将比之前的节点花费更长的时间。

近日，一份引用半导体行业消息来源的报告表明，据报道，台积电在其 3nm 工艺良率方面存在困难。消息来源报告的关键传言是台积电发现其 3nm FinFET 工艺很难达到令人满意的良率。但到目前为止，台积电尚未公开承认任何 N3 延迟，相反其声称“正在取得良好进展”。

众所周知，台积电3nm在晶体管方面采用鳍式场效应晶体管（FinFET）结构，FinFET运用立体的结构，增加了电路闸极的接触面积，进而让电路更加稳定，同时也达成了半导体制程持续微缩的目标。其实，FinFET晶体管走在3nm多多少少已是极限了，再向下将会遇到制程微缩而产生的电流控制漏电等物理极限问题，而台积电之所以仍选择其很大部分原因是不用变动太多的生产工具，也能有较具优势的成本结构。特别对于客户来说，既不用有太多设计变化还能降低生产成本，可以说是双赢局面。

从此前公开数据显示，与5nm芯片相比，台积电3nm芯片的逻辑密度将提高75%，效率提高15%，功耗降低30%。据悉，台积电 3nm 制程已于2021年3 月开始风险性试产并小量交货，预计将在2022年下半年开始商业化生产。

从工厂方面来看，中国台湾南科18厂四至六期是台积电3nm量产基地。客户方面，从上文可以看出，英特尔、苹果、高通等都选择了台积电。大摩分析师Charlie Chan日前发表报告称，台积电在2023年的3nm芯片代工市场上几乎是垄断性的，市场份额接近100%。

不同于台积电在良率方面的问题，三星在3nm的困难是3 纳米GAA 制程建立 IP 数量方面落后。据南韩媒体报道，三星缺乏3 纳米GAA 制程相关 ，令三星感到不安。

三星在晶体管方面采用的是栅极环绕型 (Gate-all-around，GAA) 晶体管架构。相比台积电的FinFET晶体管，基于GAA的3nm技术成本肯定较高，但从性能表现上来看，基于GAA架构的晶体管可以提供比FinFET更好的静电特性，满足一定的珊极宽度要求，可以表现为同样工艺下，使用GAA架构可以将芯片尺寸做的更小。

平面晶体管、FinFET与GAA FET

与5nm制造工艺相比，三星的3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。三星在去年6月正式宣布3nm工艺制程技术已经成功流片。此外，三星还曾宣布将在 2022 年推出 3nm GAA 的早期版本，而其“性能版本”将在 2023 年出货。

目前，在工厂方面，此前有消息称三星可能会在美国投资170亿美元建设3nm芯片生产线。在客户方面，三星未有具体透露，但曾有消息称高通、AMD 等台积电重量级客户都有意导入三星 3nm 制程，但介于上述提到的韩媒报道高通已将其3nm AP处理器的代工订单交给台积电，三星3nm客户仍成谜。

在Pat Gelsinger于去年担任英特尔CEO之后，这家曾经在代工领域试水的IDM巨头又重新回到了这个市场。同时，他们还提出了很雄壮的野心。

在本月18日投资人会议上，英特尔CEO Pat Gelsinger再次强调，英特尔2nm制程将在2024年上半年可量产，这个量产时间早于台积电，意味2年后晶圆代工业务与台积电竞争态势会更白热化。

虽然在3nm工艺方面，英特尔没有过多的透露，但是Digitimes去年的研究报告分析了台积电、三星、Intel及IBM四家厂商在相同命名的半导体制程工艺节点上的晶体管密度问题，并对比了各家在10nm、7nm、5nm、3nm及2nm的晶体管密度情况。

在工厂方面，英特尔曾强调将斥资800亿欧元在欧洲设厂，英特尔德国负责人Christin Eisenschmid受访时透露，将在欧洲生产2nm或推进更小的芯片。英特尔将2nm作为扩大欧洲生产能力的重要关键，以避免未来在先进技术竞争中落后。

总的来说，在3nm节点，台积电、三星和英特尔谁会是最后的赢家可能只有交给时间来判定，但从目前情势来看，台积电或略胜一筹。

3nm已经到了摩尔定律的物理极限，往后又该如何发展？这已经成为全球科研人员亟待寻求的解法。目前，研究人员大多试图在晶体管技术、材料方面寻求 之法。

上述三星在3nm制程中使用的GAA晶体管就是3nm后很好的选择，GAA设计通道的四个面周围有栅极，可减少漏电压并改善对通道的控制，这是缩小工艺节点时的关键。据报道，台积电在2nm工艺上也将采用GAA晶体管。

纳米线是直径在纳米量级的纳米结构。纳米线技术的基本吸引力之一是它们表现出强大的电学特性，包括由于其有效的一维结构而产生的高电子迁移率。

最近，来自 HZDR 的研究人员宣布，他们已经通过实验证明了长期以来关于张力下纳米线的理论预测。在实验中，研究人员制造了由 GaAs 核心和砷化铟铝壳组成的纳米线。最后，结果表明，研究人员确实可以通过对纳米线施加拉伸应变来提高纳米线的电子迁移率。测量到未应变纳米线和块状 GaAs 的相对迁移率增加约为 30%。研究人员认为，他们可以在具有更大晶格失配的材料中实现更显着的增加。

最近，英特尔一项关于“堆叠叉片式晶体管（stacked forksheet transistors）”的技术 引起了人们的注意。

英特尔表示，新的晶体管设计最终可以实现3D和垂直堆叠的CMOS架构，与目前最先进的三栅极晶体管相比，该架构允许增加晶体管的数量。在 里，英特尔描述了纳米带晶体管和锗薄膜的使用，后者将充当电介质隔离墙，在每个垂直堆叠的晶体管层中重复，最终取决于有多少个晶体管被相互堆叠在一起。

据了解，英特尔并不是 家引用这种制造方法的公司，比利时研究小组Imec在2019年就曾提出这个方法，根据 Imec 的 个标准单元模拟结果，当应用于 2nm 技术节点时，与传统的纳米片方法相比，该技术可以显着提高晶体管密度。

垂直传输场效应晶体管（VTFET）由IBM和三星共同公布，旨在取代当前用于当今一些最先进芯片的FinFET技术。新技术将垂直堆叠晶体管，允许电流在晶体管堆叠中上下流动，而不是目前大多数芯片上使用的将晶体管平放在硅表面上，然后电流从一侧流向另一侧。

据 IBM 和三星称，这种设计有两个优点。首先，它将允许绕过许多性能限制，将摩尔定律扩展到 1 纳米阈值之外。同时还可以影响它们之间的接触点，以提高电流并节约能源。他们表示，该设计可能会使性能翻倍，或者减少85%的能源消耗。

其实，对于3nm以后先进制程如何演进，晶体管制造只是解决方案的一部分，芯片设计也至关重要，需要片上互连、组装和封装等对器件和系统性能的影响降至最低。

点击文末阅读原文，可查看本文原文链接！

晶圆 集成电路 设备 汽车 芯片 存储 台积电 AI 封装

原文链接！

三星Exynos1080好吗

本周，瑞昱、美光 科技 相继发布业绩报告。台积电3纳米如期下半年量产，或将独霸先进制程市场2 3年。

全球大厂继续在加大布局， Xperi公司宣布收购Vewd， II-VI收购Coherent获中国批准，三星电机将追加投资3000亿韩元扩大FC-BGA基板产能，而美光将在2023财年减少晶圆厂设备资本支出。

另外，技术迭代，人才之争，仍在不时发生，市场传闻英特尔、三星、台积电在美国掀起“抢人大战”。

财报与业绩

1. 美光 科技 三季度营收86.4亿美元 毛利率为46.7% ——7月2日，美光 科技 的营业收入为86.4亿美元，上一季度为77.9亿美元，去年同期为74.2亿美元，该公司毛利率为46.7%。GAAP净收入为26.3亿美元，或摊薄后每股2.34美元。非GAAP净收入为29.4亿美元，或每股摊薄收益2.59美元。营业现金流为38.4亿美元，上一季度为36.3亿美元，去年同期为35.6亿美元。

2. 瑞昱6月营收达96.42亿元新台币 月减7.74%元 ——7月5日，瑞昱6月营收达96.42亿元新台币（单位下同），月减7.74%元，年增2.03%。据台媒《中央社》报道，瑞昱第2季合并营收304.99亿元，创单季新高，季增2.5%；累计今年前6月自结合并营收602.55亿元，年增22.52%。

市场与舆情

1. 三星考虑在2022年下半年下调存储芯片价格 ——7月5日，据业内消息人士透露，三星电子正在考虑在 2022 年下半年降低其存储芯片价格，旨在进一步扩大其市场份额。消息人士称，如果三星决定降价，其他存储芯片公司将效仿，在今年下半年引发价格战。

2. 台积电3纳米将独霸2 3年 ——7月4日，晶圆代工 台积电日前召开年度技术论坛宣布，3纳米N3制程将如期于下半年进入量产，并推出支持N3的TSMC FINFLEX技术，将3纳米家族技术的性能、功耗效率及密度，进一步提升。业内分析，台积电3纳米节点或能在先进制程市场独霸2 3年，并通 工智能（AI）及高性能运算（HPC）订单，有机会为近期疲弱股价注入一股强心针。

3. 日本供应商拟进一步提高半导体材料报价 ——7月5日，据彭博社报道，昭和电工首席财务官Hideki Somemiya表示，今年以来疫情导致供应混乱、俄乌战争致使能源成本飙升以及日元大幅贬值，至少在2023年之前，情况不太可能显著改善，因此公司被迫提价以转嫁成本。他指出，由于昭和电工是台积电、英飞凌、丰田等制造商的供应商，涨价可能会挤压制造商利润，或迫使客户跟进涨价。

投资与扩产

1. Xperi公司通过现金和债务的混合方式以1.09亿美元收购Vewd ——7月6日，Vewd是全球 的OTT和混合电视解决方案提供商，每年交付3000多万台连接电视设备。此次收购通过其品牌TiVo和全球最大的智能电视中间件独立供应商，使Xperi成为 的独立媒体 。此外，该交易使Xperi能够在欧洲安装约1500万台设备，这些设备可以实现货币化，包括激活TiVo+，这是一种免费支持电视服务的广告。

2. 三星电机将追加投资3000亿韩元扩大FC-BGA基板产能 ——7月4日，三星电机宣布计划在韩国和越南的FC-BGA基板生产上投入更多资金，其在公告中指出，将追加投资3,000亿韩元用于韩国釜山、世宗以及越南工厂的设施建设。该公司计划通过此次投资，积极应对半导体的高性能化及市场增长带来的封装基板的需求增加，尤其是将在韩国 实现年内服务器用封装基板量产，通过扩大服务器、网络、车载等高端产品，强化全球三强地位。

3. Wolfspeed：预计8英寸SiC新厂2024年达产 ——今年4月，Wolfspeed正式启用其位于美国纽约州马西的最先进的莫霍克谷SiC制造厂，莫霍克谷工厂是 上 个8英寸碳化硅晶圆厂，今年5月WolfSpeed公布 2022 会计年度第三季 (日历年 Q1) 财报公司，CEO Gregg Lowe当时表示，位于美国纽约州的8英寸SiC新厂已启用并试产，预估明年上半年可望显著贡献营收。全球 座 SiC 8英寸厂未来可望建立起 SiC 生态体系，预估 8英寸厂营收明年上半年起将开始大幅增加。

4. 美光将在2023财年减少晶圆厂设备资本支出 ——7月2日，美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，包括PC和智能手机在内的消费市场终端需求疲软，已显著拖累了全球内存行业的需求。因此该公司决定在2023财年减少其晶圆厂设备资本支出。

5. 日月光中坜厂第二园区将于7月15日开工 ——日月光投控旗下日月光半导体将于7月15日举行中坜厂第二园区动工典礼。 据台媒《中央社》报道，中坜厂第二园区厂房用于扩充IC封装测试产线，预计将于2024年第三季度完工。不过日月光并未揭露新厂未来的投资金额，业界估计会在百亿新台币以上。

6. II-VI收购Coherent获中国批准 收购总价约70亿美元 ——6月30日， 市场监督管理总局发布公告称，决定附加限制性条件批准II-VI收购Coherent。根据合并协议中的条款，在交易完成后，Coherent的每股普通股将兑换为220美元现金和0.91股II-VI普通股, 收购总价大约为70亿美元。此前，II-VI预计其对Coherent的并购将于2022年7月1日左右完成。

技术与业务

1. 三星成立半导体封装工作组 ——7月5日，报道称，该工作组由三星电子于6月中旬成立，直接隶属于DS业务部首席执行官Kyung Kye-hyun负责。这团队由来自DS部门测试与系统封装（TSP）的工程师、半导体研发中心的研究人员以及该公司内存和代工部门的管理层组成。预计该团队将提出先进的封装解决方案，以加强与客户的合作。Kyung的举动表明他对先进半导体封装技术的重视。

2. 供应链厂商称并未收到苹果砍单通知 ——7月4日，据台媒报道，此前传出苹果考虑下调iPhone 14出货量，由原定9000万部减少10%。而中国台湾供应链厂商表示，并未收到苹果砍单通知，iPhone 14首批9000万的出货目标保持不变，按照苹果惯例，要等到新产品上市后，观察终端市场实际销售情况，再来做第二波或是第三波调整。因此，目前说下调10%备货量的说法有点太早，供应链目前备货与生产都处于正常水平。

3. 东芝涉足新一代电动飞机马达业务 ——7月2日，东芝将涉足新一代电动飞机核心部件马达的生产。据悉，东芝开发出了几十人乘坐的中型机所需要的兼顾输出功率与小型轻量化的技术，目标是到21世纪20年代后半期实现商业化。

4. 新思 科技 携手台积公司推出全新射 设计方案 ——6月29日，新思 科技 近日推出面向台积公司N6RF工艺的全新射 设计流程，以满足日益复杂的射 集成电路设计需求。台积公司N6RF工艺采用了业界 的射 CMOS技术，可提供显著的性能和功效提升。新思 科技 携手Ansys、Keysight共同开发了该全新射 设计流程，旨在助力共同客户优化5G芯片设计，并提高开发效率以加速上市时间。

高管与人才

1. 英特尔、三星、台积电在美国掀起“抢人大战” ——6月30日，英特尔、三星、台积电等半导体巨头扎堆在美国新建晶圆产能，这批新晶圆厂预计在2024年开始就将陆续建成投产，将需要至少27000名合格一线工程师，但美国国内学者估计，该国本土劳动力供给不足以填补需求，至少需要引进3500名海外工程师，其中主要将来自于大中华区，学者担忧，根据目前移民政策，如此规模的工签将几乎不可能被核发。

2. 台积电去年全球员工薪酬中位数增至206万新台币 ——7月1日，台积电日前更新的年度永续报告书显示，2021年全球员工薪酬中位数增至206万新台币。台积电去年全球共有1.2683万名新进员工。截至去年底，全球共计6.5152万位员工。台积电指出，除近年来高 科技 产业快速成长，人才市场竞争激烈，流动加速，2021年度 量较前几年显著增加。

3. 中芯国际：公司技术研发执行副总裁周梅生因退休离任 ——6月30日，中芯国际在公告中指出，目前公司的技术研发工作均正常进行，周梅生博士的退休不会对公司整体研发实力产生重大不利影响。另外，经公司研究决定，新增认定金达先生及阎大勇先生为公司核心技术人员。

4. Arm表示将利用IPO收益推动交易和 更多员工 ——6月29日，Arm公司希望利用接下来的 公开募股（IPO）所筹集的资金来促进交易和雇佣更多员工，以开展其雄心勃勃的扩张计划。（校对/Humphrey）

个人认为骁龙870比exynos1080要好。

因为三星的处理器就是， 没输过，体验没赢过，exynos1080的诞生，三星原本是为了拿他去和麒麟9000叫板的，没想到结果性能极其垮。

在骁龙870还没有出来的时候，拿他和骁龙865做对比，骁龙865是险胜exynos1080的。说，是只比骁龙865差一点点，这个性能也很可以了，但是exynos1080是5nm制程，打不过7nm的骁龙865这就说不过去了。骁龙870就是在骁龙865的基础上做了大核的超 ，肯定要比exynos1080强。

关于骁龙870

北京时间 1 月 19 日消息 ，高通正式宣布推出高通骁龙 870 5G 移动 ，即为此前传言已久的骁龙 865 Plus 移动 的再升级产品。该芯片采用了增强的高通 Kryo 585 CPU 核心，超级内核主 已达 3.2GHz，截至2021-01-27，是 A77 公版架构下 率最高的存在。

骁龙870是高通公司旗下的手机处理器，已于2021年1月19日正式发布，由摩托罗拉全球 。骁龙 870基于台积电 7nm 工艺制成，包括一颗 A77（3.19GHz）超大核 + 三颗 A77（2.42GHz）大核以及四颗 A55（1.8GHz）效能核心，其他方面如 Adreno 650 和 X55 5G 基带未变更，但 WIFI 芯片仅支持到 FastConnect 6800。

好了，今天关于“全球首个3nm芯片将量产，三星造？”的话题就到这里了。希望大家通过我的介绍对“全球首个3nm芯片将量产，三星造？”有更全面、深入的认识，并且能够在今后的学习中更好地运用所学知识。